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TechInsights ha confirmado que el chip A10X de los nuevos iPad Pro está construido utilizando un proceso FinFET de 10 nanómetros

Apple lanzó nuevos modelos iPad Pro en la WWDC este año, de 10,5 pulgadas y 12,9 pulgadas. Ambos dispositivos cuentan con el nuevo chip Fusion A10X. Apple asegura que ofrece un rendimiento un 30% más rápido en cuanto a GPU que la anterior generación de iPad Pro. Y un rendimiento gráfico un 40% más rápido. El proceso de fabricación por el que Apple fabricó el chip no fue aclarado por la compañía, hasta ahora.

TechInsights ha confirmado que el chip A10X fue construido utilizando un proceso FinFET de 10 nanómetros. Por lo que estaríamos ante el primer procesador de este tipo fabricado por Taiwán Semiconductor Manufacturing Company, TSMC. En comparación, el A9 y el A10 se construyeron utilizando un proceso de 16 nanómetros, el A8 utilizó un proceso de 20 nanómetros y el A7 utilizó un proceso de 28 nanómetros.

Como ha señalado AnandTech esta decisión no es muy normal en Apple. Los A9, A8 y A7 debutaron con un nuevo proceso de fabricación, pero en el iPhone. No está claro por qué Apple ha decidido fabricar un chip de la serie X a mitad de generación con un nuevo proceso y además en un iPad. Quizás el chip A10X se parezca más al futuro A11 que al A10 del iPhone 7.

En comparación con los anteriores de SoC de la serie X, el A10X es un 34% más pequeño que el A9X y un 20% más pequeño que el A6X. En otras palabras, “Apple nunca ha hecho un SoC tan pequeño antes”. Es un producto que está orientado a aprovechar al máximo el ahorro de espacio.

El chip A10X es el anticipo del A11 del iPhone 8

En marzo se informó que TSMC se estaba preparando para comenzar la producción en el chip A11 del iPhone 8. Después de un retraso, todo indica que la producción ha comenzado oficialmente. También usando el proceso FinFET de 10 nanómetros del fabricante. En general, el cambio a 10 nanómetros en lugar de 16 nanómetros conseguirá chips que son más eficientes y rápidos.

Pero esto no es todo. TSMC tiene previsto que el proceso FinFET de 10 nanómetros sea de corta duración. Ya que se dice que el fabricante se está preparando para saltar a un proceso de 7 nanómetros en 2018. Se cree que otros fabricantes, incluyendo Samsung e Intel, pueden alargar un poco más en el tiempo este tipo de fabricación.